Neue Chipgeneration von Infineon soll E-Autos leistungsfähiger machen
Hochvolt-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) sind essenzielle Bauteile in Elektroautos. Sie wandeln die Gleichspannung aus der Batterie in Wechselspannung für den Elektromotor um – effizient und verlustarm. RC-IGBTs (Reverse Conducting IGBTs) kombinieren dabei den Transistor mit einer Freilaufdiode auf einem Chip. Das spart Platz, reduziert Schaltverluste und verbessert die Kühlung. EDT3-Chips (Electric Drive Train der 3. Generation) wiederum stehen für die neueste Generation von Chips für elektrische Antriebsstränge. Sie integrieren moderne Sensorik zur Temperatur- und Stromüberwachung und sorgen für höhere Effizienz, mehr Reichweite und geringeren Energieverbrauch.
Gegenüber der Vorgängergeneration EDT2 konnte Infineon bei den EDT3-Chips die Energieverluste bei hoher Last um bis zu 20 Prozent senken – bei gleichbleibender Effizienz im Teillastbetrieb. Das bedeutet: Weniger Energieverluste, geringere Abwärme, bessere Reichweite und niedrigere Kosten für Elektrofahrzeuge. Durch höhere maximale Temperaturen (bis 185°C) und eine robuste Spannungsfestigkeit (750 oder 1.200 V) sind sie ideal für Hauptwechselrichter, also die zentrale Antriebseinheit in E-Fahrzeugen.
Die ebenfalls neuen RC-IGBTs mit einer Spannungsklasse von 1.200 V kombinieren IGBT und Diode auf einem Chip – das erhöht die Stromdichte, senkt den Materialbedarf und spart Kosten bei der Systemintegration. Sie eignen sich besonders für moderne 800-Volt-Architekturen, wie sie in leistungsstarken Elektroautos zum Einsatz kommen.
Positiv zu den neuen Chips äußert sich Leadrive, ein chinesischer Entwickler und Hersteller von Siliziumkarbid-Leistungsmodulen, an dem Volvo Cars beteiligt ist. „Als Hauptlieferant und Partner von Leadrive im Bereich IGBT-Chips liefert Infineon kontinuierlich fortschrittliche Lösungen, die auch auf Systemebene spürbare Vorteile bieten“, sagt Dr. Ing. Jie Shen, Gründer und General Manager von Leadrive. „Die neuen EDT3-Chips zeichnen sich durch eine optimierte Verlustleistung und Verlustverteilung aus, unterstützen höhere Betriebstemperaturen und bieten mehrere Metallisierungsoptionen. Dadurch wird nicht nur die Siliziumfläche pro Ampere reduziert, sondern auch die Einführung fortschrittlicher Gehäusetechnologien beschleunigt.“
Alle Chips lassen sich in kundenspezifischen Leistungsmodule integrieren, z. B. im neuen HybridPACK Drive G2, das bis zu 250 kW Leistung abdeckt. Die neuen EDT3- und RC-IGBT-Bauteile sind ab sofort als Muster für die Autobranche verfügbar.
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