Onsemi erweitert SiC-Halbleiter-Portfolio
Nach Angaben des Unternehmens können die auf Siliziumkarbid basierenden Lösungen dazu beitragen, die Kosten für IGBT-Leistungsmodule zu senken. Sie sind, wie bereits erwähnt, effizienter und verfügen über einfache Kühlmechanismen, die die Größe der Module um 40 Prozent und das Gewicht um 52 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten IGBT-Lösungen reduzieren.
Alle Module verwenden die Gen3 M3S SiC MOSFET-Technologie. Im Vergleich zu rein siliziumbasierten Halbleitern schalten die SiC-MOSFETs effizienter, was den Stromverbrauch direkt reduziert. Die EliteSiC Power Integrated Modules (PIM) unterstützen eine skalierbare Ausgangsleistung von 25 kW bis 100 kW und „ermöglichen eine Vielzahl von DC-Schnelllade- und Energiespeichersystemplattformen einschließlich bidirektionalem Laden“, schreibt das Unternehmen in seiner Mitteilung.
Das wachsende Portfolio von Osemi gibt „Entwicklern die Flexibilität, das richtige PIM für die Leistungsumwandlungsstufen in ihren DC-Schnelllade- oder Energiespeichersystemanwendungen auszuwählen“, so das Unternehmen weiter. Darüber hinaus wird Onsemi den Entwicklern seinen Modellgenerator für die „piecewise linear electrical circuit simulation“ (PLECS) sowie Anwendungssimulationen zur Verfügung stellen, um den Designzyklus zu beschleunigen.
Onsemi hat im vergangenen Jahr mehrere Lieferverträge mit großen Unternehmen der Automobilindustrie abgeschlossen. Dazu gehören die deutschen OEMs Volkswagen und BMW, der Zulieferer Vitesco, dem Stellantis-Konzern und die chinesische Geely-Marke Zeekr. Auch der österreichische Automobilzulieferer Magna kündigte an, auf SiC-Halbleiter des US-amerikanischen Herstellers zu setzen.
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