Bosch: Reichweitenstärkere E-Autos dank SiC-Halbleiter

bosch-siliziumkarbid-silicon-carbide-symbolbild-min

Bosch wird in seinem Werk in Reutlingen künftig neue Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) produzieren. Diese bieten im Vergleich zu den bis dato eingesetzten Siliziumchips eine bessere elektrische Leitfähigkeit, was laut dem Konzern bis zu sechs Prozent mehr Reichweite aus E-Fahrzeugen kitzeln kann.

Die Reichweite lasse sich mit den neuen SiC-Chips steigern bzw. könne bei gleicher Kapazität die Batterie kleiner ausfallen, heißt es aus der Bosch-Firmenzentrale. In der Leistungselektronik sorgten die neuartigen Chips dafür, dass 50 Prozent weniger Energie in Form von Wärme verloren gehe. „Umso effizienter kann die Leistungselektronik arbeiten und umso mehr Energie steht für den Antrieb und damit die Reichweite zur Verfügung“.

Für die Zukunft sieht Bosch durch die Siliziumkarbid-Halbleiter noch weitere Einsparpotenziale gegeben: Angesichts der geringeren Wärmeverluste der Chips und da sie zudem bei höheren Betriebstemperaturen arbeiteten, könne die aufwendige Kühlung der Antriebskomponenten reduziert werden. Bosch spricht gar von „Chips aus einem Wundermaterial“. „Siliziumkarbid-Halbleiter werden die Elektromobilität nachhaltig verändern“, gibt sich Geschäftsführer Harald Kröger euphorisch.

Laut „FAZ“ hat Bosch zunächst eine Summe im „dreistelligen Millionenbereich“ in eine Pilotlinie investiert. Ein erster Musterchip soll im kommenden Jahr präsentiert werden. Nach früheren Angaben pumpt Bosch insgesamt 500 Millionen Euro in das Werk in Reutlingen. Dort werden bereits seit 1971 Halbleiter für den Automobilsektor produziert.

Klar ist, dass kein Auto, vor allem kein E-Fahrzeug mehr ohne Halbleiter auskommt. Die Marktaussichten sind entsprechend rosig. Bosch will allen voran von der wachsenden Nachfrage nach Chips in der Mobilität und im Bereich Internet der Dinge (IoT) profitieren. Dazu erweitert der Konzern aktuell seine Produktionskapazitäten: Zum Halbleiter-Werk in Reutlingen gesellt sich bald eine weitere Fabrik in Dresden. 2018 legte Bosch dort den Grundstein. In der neuen Stätte werden in der Fertigung sogenannte Wafer (kreisrunde Scheiben aus Silizium oder Siliziumkarbid) mit 300 Millimetern Durchmesser zum Einsatz kommen. So lassen sich laut Bosch aus einem Wafer nochmals erheblich mehr Chips gewinnen und entsprechend höhere Skaleneffekte erzielen. In Reutlingen arbeitet Bosch noch mit Halbleitern auf Basis der 150- und 200-Millimeter-Technologie.

Bei der Dresdner Fabrik handelt es sich nach Angaben von Bosch um die größte Einzelinvestition in der mehr als 130-jährigen Geschichte des Unternehmens. Investitionssumme: über eine Milliarde Euro. Die ersten Mitarbeiter sollen dort im Frühjahr 2020 ihre Tätigkeit aufnehmen.
faz.net, handelsblatt.com, bosch-presse.de

2 Kommentare

zu „Bosch: Reichweitenstärkere E-Autos dank SiC-Halbleiter“
Kluger Mann
09.10.2019 um 08:00
Guten Morgen, Firma Bosch!Silizium-Karbid Technologie ist kaufbarer Serienstand im Tesla Model 3 (Motor-Inverter) seit über 2 Jahren.
Simon Maier
10.10.2019 um 19:29
Ich meine, die Raven Modelle von S und X haben jetzt auch effizientere Inverter bekommen. Man kann Tesla mögen, oder nicht, aber technisch sind sie jedenfalls ziemlich gut aufgestellt.

Schreiben Sie einen Kommentar

Ihre E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert

Lesen Sie auch