IAV und Nexperia wollen Effizienz von E-Auto-Batterien steigern

Der Entwicklungsdienstleister IAV und der Halbleiterhersteller Nexperia arbeiten unter dem Namen „ONE Inverter“ an einer neuen Generation von Hochspannungsarchitekturen für die Elektromobilität. Ziel ist es dabei, mehr Leistung aus jeder Batteriezelle herauszuholen, anstatt sich nur auf mehr Batteriekapazität zu fokussieren.

Nexperia iav one inverter
Bild: Nexperia

Bisher wird die Leistung einer Traktionsbatterie oft durch die „schwächste“ Zelle im Verbund eingeschränkt. Und wenn eine Zelle schwächelt, bremst sie das gesamte System aus. IAV und Nexperia haben deshalb eine neue softwaregesteuerte Architektur entwickelt, die jede Batteriezelle einzeln steuern kann. Anstatt die Batterie als einen großen Block zu behandeln, erlaubt das System eine dynamische Zuweisung. Jede Zelle kann so genau das leisten, was sie momentan zu leisten imstande ist.

Diese dynamische Steuerung wird durch spezielle Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien von Nexperia möglich, insbesondere durch ein bidirektionales GaN-Bauelement (GaN steht für Galliumnitrid). Dieses macht wiederum ein effizientes und schnelles Schalten auf Batteriezellebene möglich – und den Ansatz technisch und wirtschaftlich realisierbar. Andere Halbleiterlösungen würden laut den beiden Partnern hingegen die Systemkomplexität und die Kosten erheblich erhöhen. Zudem unterstützen weitere Komponenten aus dem Halbleiterportfolio von Nexperia das gesamte Systemdesign, darunter bipolare Bauelemente.

„Die Stärke von IAV liegt darin, technologische Innovationen in Lösungen auf Systemebene für unsere Kunden umzusetzen. Gemeinsam mit Nexperia erforschen wir, wie softwaredefinierte Batteriearchitekturen neue Maßstäbe in Sachen Effizienz, Flexibilität und Robustheit für zukünftige softwaredefinierte Fahrzeuge setzen können“, sagt IAV-Chef Jörg Astalosch.

„Starke Partnerschaften sind der Schlüssel zur Förderung von Innovationen bei Fahrzeugarchitekturen der nächsten Generation. Durch die Kombination unserer Expertise im Bereich der Halbleiter mit großer Bandlücke – die sowohl SiC als auch GaN umfasst – mit den fortschrittlichen Systemkonzepten unseres Partners IAV ermöglichen wir von Grund auf neue Ansätze für das Design von E-Mobilitätslösungen. Eine enge Zusammenarbeit in einer frühen Phase ermöglicht es uns, Halbleiter- und Systemanforderungen aufeinander abzustimmen und innovative Ideen in skalierbare, leistungsstarke Lösungen umzusetzen“, sagt Nexperia-Manager Edoardo Merli.

iav.com

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