Herzlich Willkommen zu den News und Highlights der Elektromobilität! Folgende Themen hält das „eMobility update“ für Sie bereit: Aral startet Ladekorridor für E-Lkw ++ Halbleiter-Werk im Saarland ++ Aptera enthüllt „Launch Edition“ seines Solarautos ++ BMW testet Produktion von Feststoffzellen ++ Streit um Ladestationen in München ++
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Der US-Konzern Wolfspeed will im Saarland das weltweit größte Werk für Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) zum Einsatz unter anderem in Elektrofahrzeugen aufbauen. An der Fabrik wird sich auch Autozulieferer ZF mit einem Minderheitsanteil beteiligen.
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Mercedes-Benz hat eine strategische Partnerschaft mit Wolfspeed zur Versorgung mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern geschlossen. Wolfspeeds SiC-Halbleiter werden von Mercedes-Benz in Antriebssysteme der künftigen Plattformen für Elektroautos integriert.
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Der Automobilzulieferer BorgWarner investiert 500 Millionen US-Dollar in den Halbleiterhersteller Wolfspeed und sichert sich damit Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid-Halbleiter im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar pro Jahr.
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Jaguar Land Rover und Wolfspeed haben eine strategische Partnerschaft für die Belieferung mit Siliziumkarbid-Halbleitern bekanntgegeben. Die Technologie soll ab 2024 die Effizienz des Antriebs sowie die Reichweite der nächsten Elektroauto-Generation von JLR erhöhen.
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Cree, ein Hersteller von Siliziumkarbid-Halbleitern, hat sich in Wolfspeed umbenannt. Unter neuem Namen hat das Unternehmen zudem eine Kooperation mit General Motors geschlossen. Diese sieht die Entwicklung und Lieferung von Siliziumkarbid-Halbleitern für künftige Elektroautos von GM vor.
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Was sich nach dem Veto der US-Behörden bereits abzeichnete, ist nun offiziell: Die geplante Übernahme des US- Chipkonzerns Wolfspeed durch Deutschlands größten Halbleiterhersteller Infineon ist endgültig gescheitert. Das teilte der Wolfspeed-Mutterkonzern Cree jetzt mit.
handelsblatt.com, heise.de, cree.com
Wolfspeed stellt ein neues 900 V, 10 mΩ MOSFET vor, das für eine Dauerbelastung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 Grad ausgelegt ist. Der Transistor soll die Umrichterverluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um 78 Prozent verringern.
elektroniknet.de, fleishmaneurope.de
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